반응형 HBM41 1c D램 돌파! 삼성전자가 HBM4 전쟁에 우위 점할까? 🚀삼성전자, HBM4 시대를 여는 ‘1c D램’ 개발 성공삼성전자가 차세대 메모리 시장에서 기술 우위를 되찾기 위한 결정적인 승부수를 던졌습니다. 바로 6세대(1c) D램 개발을 완료하고 양산 전환을 위한 PRA(Production Readiness Approval)를 획득한 것입니다. PRA는 제품 양산에 앞서 기술적 기준을 만족했을 때 부여되는 내부 인증 절차로, 이는 곧 제품이 실제 생산에 들어갈 수 있는 수준까지 도달했음을 의미합니다. 이번 1c 공정은 10나노급 초미세 기술로, 기존 1a 및 1b 공정보다 더 정밀하고 높은 수율을 자랑합니다. 특히 극자외선(EUV) 노광 장비를 복수 층에 적용하여 패터닝 정밀도를 높였고, 절연 구조와 소재 전면 개편을 통해 셀 간섭과 누설 전류를 최소화한 점이.. 2025. 7. 3. 이전 1 다음
