🚀삼성전자, HBM4 시대를 여는 ‘1c D램’ 개발 성공
삼성전자가 차세대 메모리 시장에서 기술 우위를 되찾기 위한 결정적인 승부수를 던졌습니다. 바로 6세대(1c) D램 개발을 완료하고 양산 전환을 위한 PRA(Production Readiness Approval)를 획득한 것입니다. PRA는 제품 양산에 앞서 기술적 기준을 만족했을 때 부여되는 내부 인증 절차로, 이는 곧 제품이 실제 생산에 들어갈 수 있는 수준까지 도달했음을 의미합니다. 이번 1c 공정은 10나노급 초미세 기술로, 기존 1a 및 1b 공정보다 더 정밀하고 높은 수율을 자랑합니다. 특히 극자외선(EUV) 노광 장비를 복수 층에 적용하여 패터닝 정밀도를 높였고, 절연 구조와 소재 전면 개편을 통해 셀 간섭과 누설 전류를 최소화한 점이 눈에 띕니다.
가장 주목할 만한 부분은 ‘중앙 배선층’ 구조의 개선입니다. D램 내부에서 전력과 제어 신호를 전달하는 이 배선층은 공정 미세화가 진행될수록 발열과 간섭 문제가 증가하지만, 삼성전자는 배선 면적을 줄이는 동시에 열 제어와 전력 효율을 크게 향상시키는 데 성공하였습니다. 이를 통해 수율도 대폭 개선되어 60% 이상으로 올라갔으며, 이는 고객사 테스트와 양산 진행을 위한 중요한 발판이 됩니다. 이번 기술은 단지 D램의 진화에 그치지 않고, ‘삼성전자 HBM4’ 대응을 위한 핵심 기반이 된다는 점에서 전략적 의미가 큽니다. 이로써 삼성전자는 차세대 메모리 전쟁에서 재도약의 기회를 잡았다는 평가를 받고 있습니다.
📌SK하이닉스의 선점, 삼성전자의 역전 가능성은?
현재 글로벌 HBM 시장은 SK하이닉스가 점유율과 기술력 모두에서 주도권을 쥐고 있습니다. 하이닉스는 1b 공정 기반으로 세계 최초의 HBM3E 12단 제품을 양산하였으며, 해당 제품은 엔비디아의 차세대 GPU에 탑재될 예정입니다. HBM4 샘플도 이미 주요 고객사에 제공을 완료한 상태입니다. 특히 HBM 기술은 AI 반도체 시장에서 가장 중요한 구성 요소 중 하나로, 고속·고용량 메모리를 필요로 하는 대형 AI 모델 학습에 필수적입니다. 이에 따라 삼성전자는 ‘삼성전자 HBM4’ 기술 확보를 통해 시장에서 뒤처졌던 기술 격차를 메우고, 역전의 발판을 마련하려 하고 있습니다.
삼성전자는 이번 1c 공정에 외부 반도체 설계 전문가를 적극 영입하여 병목 현상의 핵심인 중앙 배선층 구조를 완전히 새롭게 설계했습니다. 이 구조 개선으로 생산 수율은 획기적으로 개선되었고, 고객사가 요구하는 품질 및 신뢰성 기준을 만족하는 수준까지 도달하였습니다. 또한 이 기술은 단순히 HBM4에만 국한되지 않고, 고성능 서버용 D램, DDR5 등 다양한 프리미엄 메모리 라인업에도 적용 가능합니다. 이는 시장 내 다양한 수요에 대응할 수 있는 제품 포트폴리오 확장으로 이어지며, 삼성전자가 단기간 내 기술 우위를 회복할 수 있는 여지를 남겨줍니다. 경쟁은 치열하지만, ‘삼성전자 HBM4’ 기반 기술이 실제 고객사 평가를 통해 우수성을 입증하게 된다면, 향후 시장 재편은 충분히 가능할 것으로 보입니다.
🔍‘삼성전자 HBM4’ 기술이 주가에 미칠 영향은?
이번 삼성전자의 1c D램 개발과 HBM4 대응 전략은 단순한 기술 발표를 넘어, 실질적인 주가 상승 모멘텀이 될 수 있다는 점에서 투자자들의 주목을 받고 있습니다. 지난 몇 분기 동안 삼성전자 주가는 반도체 업황 둔화, AI 메모리 수요 편중, 경쟁사 우위 등으로 인해 기대만큼의 반등을 보이지 못했습니다. 하지만 이번 기술 발표는 향후 실적 개선과 기업가치 재평가의 중요한 전환점이 될 수 있습니다. ‘삼성전자 HBM4’ 기술은 고부가가치 제품 공급 확대를 가능하게 하며, 이는 단가 상승과 마진 회복으로 직결될 수 있습니다.
특히 2025년 하반기부터 본격화될 AI 인프라 투자 확대는 HBM 수요를 폭발적으로 증가시킬 전망이기 때문에, 삼성전자가 HBM4 상용화에서 앞서 나가게 된다면 주가에 긍정적인 기대감이 선반영될 가능성이 큽니다. 더불어 기술적 완성도와 고객 인증 테스트를 성공적으로 통과한다면, 엔비디아나 AMD 등 주요 고객사와의 협력 가능성도 다시금 부각될 수 있습니다. 시장에서는 이미 이번 1c D램 PRA 승인 소식에 긍정적으로 반응하고 있으며, 앞으로 고객사와의 품질 검증 진행 상황에 따라 삼성전자 주가의 추가 상승 여력은 충분하다는 분석도 나오고 있습니다. 즉, 이번 기술 진보는 단기적인 기대감을 넘어서, 삼성전자의 중장기 성장성 회복을 뒷받침할 수 있는 핵심 촉매로 작용할 것으로 보입니다.
✅정리하며 : 삼성전자 HBM4 기술, 반격의 시작인가 반등의 신호인가
삼성전자가 1c D램 개발과 함께 HBM4 대응 기술을 확보한 것은 메모리 반도체 시장에서 매우 상징적인 사건입니다. 그동안 SK하이닉스에 비해 상대적으로 늦은 대응으로 평가받았던 삼성전자는 이번 구조 개선과 양산 수율 확보를 통해 기술 격차를 빠르게 좁히고 있습니다. ‘삼성전자 HBM4’는 단순한 신제품이 아닌, AI 시대를 대비한 메모리 패러다임 전환의 상징이 될 수 있습니다.
기술은 준비되었고, 이제 남은 것은 시장의 선택과 주가의 반응입니다. 삼성전자가 하반기 품질 인증과 샘플 공급을 순조롭게 마무리한다면, 다시금 글로벌 반도체 시장에서의 주도권을 탈환할 가능성이 높아집니다. 향후 투자자들은 삼성전자의 기술 진보뿐 아니라, 전략적 고객사 확보와 실제 매출 반영 시점에도 주목해야 할 것입니다.